TRANSISTOR P MOSFET 60V

Ficha Técnica

• Fabricante: ON Semiconductor;
• Categoria de produto: MOSFET;
• Tecnologia: Si;
• Estilo de montagem: Through Hole;
• Caixa / Gabinete: TO-220-3;
• Polaridade do transistor: P-Channel;
• Número de canais: 1 Channel;
• Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V;
• Id - Corrente de drenagem contínua: 8.6 A;
• Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 175 mOhms;
• Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 25 V, + 25 V;
• Qg - Carga na porta: 17 nC;
• Temperatura operacional mínima: - 55 C;
• Temperatura operacional máxima: + 175 C;
• Pd - Dissipação de potência: 30 W;
• Modo de canal: Enhancement;
• Nome comercial: QFET;
• Altura: 16.07 mm;
• Comprimento: 10.36 mm;
• Série: FQPF11P06;
• Tipo de transistor: 1 P-Channel;
• Largura: 4.9 mm;
• Marca: ON Semiconductor / Fairchild;
• Transcondutância em avanço - Mín: 4.75 S;
• Tempo de queda: 45 ns;
• Tempo de ascensão: 40 ns;
• Tempo de retardo de desligamento típico: 15 ns;
• Tempo típico de ativação/retardo : 6.5 ns;
• Peso unitário: 2,270 g.