TRANSISTOR N MOSFET 800V 3.9A TO220

Ficha Técnica

• Fabricante: ON Semiconductor;
  
• Categoria de produto: MOSFET;
  
• Tecnologia: Si;
  
• Estilo de montagem: Orifício de passagem;
  
• Caixa / Gabinete: TO-220-3;
  
• Polaridade do transistor: Canal N;
  
• Número de canais: 1 canal;
  
• Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V;
  
• Id - Corrente de drenagem contínua: 3.9 A;
  
• Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3,6 Ohms;
  
• Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V;
  
• Tensão de limite porta e fonte: 3 V;
  
• Qg - Carga na porta: 25 nC;
  
• Temperatura operacional mínima: - 55 C;
  
• Temperatura operacional máxima: + 150 C;
  
• Pd - Dissipação de potência: 130 W;
  
• Modo de canal: Realce;
  
• Nome comercial: QFET;
  
• Embalagem: Tubo;
  
• Configuração: Single;
  
• Altura: 16,3 mm;
  
• Comprimento: 10,67 mm;
  
• Série: FQP4N80;
  
• Tipo de transistor: 1 canal N;
  
• Largura: 4,7 mm;
  
• Transcondutância em avanço - Mín: 3,8 S;
  
• Tempo de queda: 35 ns;
  
• Tempo de ascensão: 45 ns;
  
• Tempo de retardo de desligamento típico: 35 ns;
  
• Tempo típico de ativação / retardo: 16 ns;
  
• Aliases de núm de peça: FQP4N80_NL;
  
• Peso unitário: 1.800 g.