MOSFET 55V 49A 110W 0.022 Ohms

Ficha Técnica

• Fabricante: Infineon (IRF);
• Tipo de transístor: N-MOSFET;     
• Tecnologia: HEXFET®;
• Polarização: unipolar;     
• Tensão dreno-fonte: 55V;     
• Corrente de dreno: 49A;
• Potência dissipada: 94W;     
• Carcaça: D2PAK;
• Tensão porta-fonte: ±20V;     
• Resistência no estado de condução: 17.5mΩ;     
• Montagem: SMD;
• Carga da porta: 63nC;     
• Peso bruto: 1.5 g.