DIODO 65V DO7

Ficha Técnica

• Tensão máxima inversa 65V;
  
• Corrente de condução 50mA;
  
• Corrente de condução máx. 200mA;
  
• Carcaça DO7;
  
• Montagem THT;
  
• Estrutura do semicondutor díodo individual;
  
• Propriedades de dispositivos semicondutores díodo de germânio (Ge);
  
• Corrente no impulso max. 500mA;
  
• Tensão de condução máxima 1V;
  
• Corrente de fuga 30µA;
  
• Capacidade 1pF;
  
• Aplicação projetada para uso em circuitos detectores;
  
• Peso bruto: 0,175 g.