TRANSISTOR N MOSFET 900V 1.89A TO220

Ref. STP3NK90
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Ficha Técnica
  • Fabricante: STMicroelectronics;
  • Categoria de produto:MOSFET;
  • Tecnologia: Si;
  • Estilo de montagem: Through Hole;
  • Caixa / Gabinete: TO-220-3;
  • Número de canais: 1 Channel;
  • Polaridade do transistor: N-Channel;
  • Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900V;
  • Id - Corrente de drenagem contínua: 3A;
  • Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 4.8Ohms;
  • Tensão de limite porta e fonte: 3V;
  • Vgs - Voltagem de porta e fonte: 10V;
  • Qg - Carga na porta: 22.7 nC;
  • Temperatura operacional mínima: - 55C;
  • Temperatura operacional máxima: + 150 C;
  • Configuração: Single;
  • Pd - Dissipação de potência: 90W;
  • Modo de canal: Enhancement;
  • Nome comercial: SuperMESH;
  • Embalagem: Tube;
  • Altura: 9.15 mm;
  • Comprimento: 10.4 mm;
  • Série: STP3NK90Z;
  • Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET;
  • Tipo: MOSFET;
  • Largura: 4.6 mm;
  • Marca: STMicroelectronics;
  • Transcondutância em avanço - Mín: 2.7 S;
  • CNHTS: 8541210000;
  • Tempo de queda: 18 ns;
  • HTS Code: 8541290095;
  • MXHTS: 85412101;
  • Tipo de Produto: MOSFET;
  • Tempo de ascensão: 7 ns;
  • Quantidade do pacote de fábrica: 1000;
  • Subcategoria: MOSFETs;
  • TARIC: 8541210000;
  • Tempo de retardo de desligamento típico: 45ns;
  • Tempo típico de ativação/retardo: 18ns;
  • Peso unitário: 1.438g.

Ficha Técnica

  • Fabricante: STMicroelectronics;
  • Categoria de produto:MOSFET;
  • Tecnologia: Si;
  • Estilo de montagem: Through Hole;
  • Caixa / Gabinete: TO-220-3;
  • Número de canais: 1 Channel;
  • Polaridade do transistor: N-Channel;
  • Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900V;
  • Id - Corrente de drenagem contínua: 3A;
  • Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 4.8Ohms;
  • Tensão de limite porta e fonte: 3V;
  • Vgs - Voltagem de porta e fonte: 10V;
  • Qg - Carga na porta: 22.7 nC;
  • Temperatura operacional mínima: - 55C;
  • Temperatura operacional máxima: + 150 C;
  • Configuração: Single;
  • Pd - Dissipação de potência: 90W;
  • Modo de canal: Enhancement;
  • Nome comercial: SuperMESH;
  • Embalagem: Tube;
  • Altura: 9.15 mm;
  • Comprimento: 10.4 mm;
  • Série: STP3NK90Z;
  • Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET;
  • Tipo: MOSFET;
  • Largura: 4.6 mm;
  • Marca: STMicroelectronics;
  • Transcondutância em avanço - Mín: 2.7 S;
  • CNHTS: 8541210000;
  • Tempo de queda: 18 ns;
  • HTS Code: 8541290095;
  • MXHTS: 85412101;
  • Tipo de Produto: MOSFET;
  • Tempo de ascensão: 7 ns;
  • Quantidade do pacote de fábrica: 1000;
  • Subcategoria: MOSFETs;
  • TARIC: 8541210000;
  • Tempo de retardo de desligamento típico: 45ns;
  • Tempo típico de ativação/retardo: 18ns;
  • Peso unitário: 1.438g.

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